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JMTQ130N04D

更新时间: 2024-11-21 14:55:23
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捷捷微 - JJM /
页数 文件大小 规格书
6页 771K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

JMTQ130N04D 数据手册

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JMTQ130N04D  
Description  
JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Features  
Applications  
40V, 20A  
Load Switch  
RDS(ON) < 19.2mΩ @ VGS = 10V  
PWM Application  
Power Management  
RDS(ON) < 25.4mΩ @ VGS = 4.5V  
Advanced Trench Technology  
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  
Lead Free  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
D1  
S1  
D2  
S2  
G1  
G2  
PDFN3x3-8L-D  
Schematic Diagram  
Marking and Pin Assignment  
Package Marking and Ordering Information  
Per Carton  
(pcs)  
Device Marking  
Device  
Package  
Outline  
Reel Size Reel(pcs)  
13" 5000  
Q130N04D  
JMTQ130N04D  
PDFN3x3-8L-D  
TAPING  
50000  
Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
Units  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
40  
±20  
20  
V
V
TC = 25°C  
ID  
Continuous Drain Current  
A
TC = 100°C  
13  
Pulsed Drain Current (1)  
Single Pulsed Avalanche Energy(2)  
IDM  
EAS  
80  
A
mJ  
W
30  
PD  
Power Dissipation  
TC = 25°C  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient(3)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Junction & Storage Temperature Range  
RθJA  
RθJC  
TJ, TSTG  
61  
°C/W  
°C  
2.5  
-55 to 150  
JieJie Microelectronics Co., Ltd  
1
Version1.2  

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