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JMTM300C02D

更新时间： 2024-11-19 14:55:27

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捷捷微 - JJM		/
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描述
低压 N-ch (≤ 30V )

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JMTM300C02D 数据手册

JMTM300C02D

Description

JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Application

 N-Channel: 20V, 3.8A

 Battery Protection

 Load Switch

R_DS(ON)< 28mΩ @ V_GS= 4.5V

R_DS(ON)< 38mΩ @ V_GS= 2.5V

 P-Channel: -20V, -2.8A

 Power Management

R_DS(ON)< 65mΩ @ V_GS= -4.5V

R_DS(ON)< 88mΩ @ V_GS= -2.5V

 Excellent Gate Charge x R_DS(ON)Product(FOM)

 Very Low On-resistance R_DS(ON)

 Fast Switching Speed

SOT-23-6L(Dual)

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

(PCS)

300C02D

JMTM300C02D

TAPING

SOT-23-6L

7inch

3000

120000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max. N-Channel

Max. P-Channel

Units

V_DSS

V_GSS

±12

3.8

2.5

-20

±12

-2.8

-1.8

-11

Gate-Source Voltage

T_A= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100℃

I_DM

P_D

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

T_A= 25℃

0.7

179

0.8

℃/W

℃

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

156

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

- 1 -

12 3 4 5 6 7...10

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