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JMTL2301E

更新时间： 2024-11-25 14:53:07

品牌	Logo	应用领域
捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	438K
描述
低压 P-ch (-30V ~ -5V)

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JMTL2301E 数据手册

JMTL2301E

Description

JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET

Features

Applications

 Load Switch

 -20V, -2A

 PWM Application

_DS(ON)< 114mΩ @ V_GS= -4.5V

 Power Management

R_DS(ON)< 151mΩ @ V_GS= -2.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead Free

SOT-23 Top View

Schematic Diagram

Marking and Pin Assignment

Package Marking and Ordering Information

Per Carton

Device Marking

Device

Package

Outline

Reel Size Reel(pcs)

7" 3000

(pcs)

2301E

JMTL2301E

SOT-23

TAPING

120000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

Units

V_DS

V_GS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

-20

±12

-2

T_A= 25°C

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100°C

-1

Pulsed Drain Current ⁽¹⁾

Power Dissipation

I_DM

P_D

-8

T_A= 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient⁽²⁾

R_θJA

120

°C/W

°C

T_J, T_STG

Junction & Storage Temperature Range

-55 to 150

JieJie Microelectronics Co., Ltd

Version：1.2

12 3 4 5 6

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