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JMTD3134K

更新时间： 2024-11-24 14:53:51

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	314K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

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JMTD3134K 数据手册

JMTD3134K

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 20V, 0.75A

 Load Switch

R_DS(ON)< 165mΩ @ V_GS=4.5V

 PWM Application

 Power management

R_DS(ON)< 260mΩ @ V_GS=2.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

 ESD Protected: 2KV

DFN1006-3L top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

(PCS)

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

34K

JMTD3134K

TAPING

DFN1006-3L

7inch

10000

400000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_DSS

Parameter

Max.

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±10

T_A= 25℃

0.75

0.5

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100℃

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

I_DM

P_D

T_A= 25℃

0.15

833

Thermal Resistance, Junction to Case

R_θJA

℃/W

℃

T_J, T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

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