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JMTC58N06B

更新时间： 2024-11-24 14:53:59

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捷捷微 - JJM		/
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6页	539K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTC58N06B 数据手册

JMTC58N06B

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 60V, 58A

 Load Switch

R_DS(ON)<10mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

 Power management

R_DS(ON)<14mΩ @ V_GS= 4.5V

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-220C top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

TUBE

(PCS)

Inner Box

(PCS)

Per Carton

(PCS)

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

JMTC58N06B

TUBE

TO-220C

1,000

5,000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

T_C= 100℃

I_DM

EAS

P_D

232

121

Power Dissipation

T_C= 25℃

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

2.14

℃/W

℃

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +175

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.1

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