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JMSL1040AGQ

更新时间: 2024-11-23 14:55:11
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捷捷微 - JJM /
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5页 377K
描述
汽车 MOSFET

JMSL1040AGQ 数据手册

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JMSL1040AGQ  
100V 29mN-Ch Power MOSFET  
Features  
Product Summary  
Parameter  
VDS  
Value  
100  
1.8  
27  
Unit  
V
Low ON-resistance, RDS(ON)  
Low Gate Charge, Qg  
VGS(th)_Typ  
ID (@ VGS = 10V) (1)  
V
100% UIS and Rg Tested  
A
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)  
29  
m  
m  
Pb-free Lead Plating  
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)  
39  
Halogen-free and RoHS-compliant  
AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications  
PDFN5x6-8L  
Pin Configuration  
Top View  
Top View  
Bottom View  
D
S
1
2
3
4
8
7
6
G
5
Ordering Information  
Device  
TJ (°C)  
Package  
# of Pins  
Marking  
MSL  
Media  
Quantity (pcs)  
JMSL1040AGQ-13  
PDFN5x6-8L  
8
SL1040AQ  
1
-55 to 175 13-inch Reel  
5000  
Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
100  
±20  
27  
VGS  
V
TC = 25°C  
Continuous Drain  
Current (1)  
ID  
A
TC = 100°C  
19  
Pulsed Drain Current (2)  
Avalanche Current (3)  
Avalanche Energy (3)  
IDM  
IAS  
88  
A
A
17  
EAS  
14  
mJ  
TC = 25°C  
54  
Power Dissipation (4)  
PD  
W
TC = 100°C  
26.8  
Junction & Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
°C  
RDS(ON) vs. VGS  
Gate Charge  
100  
10  
8
ID = 10A  
VDS = 50V  
ID = 10A  
80  
60  
40  
20  
0
6
4
2
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
2
4
6
8
VGS (V)  
Qg (nC)  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers  
Rev. 1.2  
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