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JMSL0605AGD

更新时间： 2024-11-06 14:55:07

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捷捷微 - JJM		/
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6页	311K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMSL0605AGD 数据手册

JMSL0605AGD

60V 4.4mΩ Dual N-Ch Power MOSFET

Product Summary

Features

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low ON-resistance, R_DS(ON)

1.6

Low Gate Charge, Q_g

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

100% UIS and R_gTested

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

4.4

5.6

mΩ

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 4.5V)

Halogen-free and RoHS-compliant

Applications

•

Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE

Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics

Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems

PDFN5x6-8L-D

Pin Configuration

Top View

Chip-1 & Chip-2

Top View

Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

-55 to 150

Package

PDFN5x6-8L-D

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSL0605AGD-13

L0605AD

13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±20

V_GS

T_C= 25°C

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

232

E_AS

182

T_C= 25°C

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

_C= 100°C

12.5

-55 to 150

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

I_D= 20A

V_DS= 30V

I_D= 20A

Q_g(nC)

V_GS(V)

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.0

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