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JMSL0603BG

更新时间: 2024-11-06 14:55:35
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捷捷微 - JJM /
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6页 315K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

JMSL0603BG 数据手册

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JMSL0603BG  
60V 2.4mΩ N-Ch Power MOSFET  
Features  
Product Summary  
Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)  
Parameter  
VDS  
Value  
Unit  
V
60  
1.6  
142  
2.4  
3.4  
Low Gate Charge, Qg  
VGS(th)_Typ  
ID (@ VGS = 10V) (1)  
V
100% UIS and Rg Tested  
Pb-free Lead Plating  
A
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)  
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)  
mΩ  
mΩ  
Halogen-free and RoHS-compliant  
Applications  
Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications  
Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems  
Load Switching, e-Fuse Switching, Motor Driving  
PDFN5x6-8L  
Pin Configuration  
Top View  
Top View  
Bottom View  
D
S
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Ordering Information  
Device  
TJ (°C)  
Package  
# of Pins  
Marking  
MSL  
Media  
Quantity (pcs)  
JMSL0603BG-13  
PDFN5x6-8L  
8
SL0603B  
1
-55 to 150  
13-inch Reel  
5000  
Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
60  
±20  
VGS  
V
TC = 25°C  
142  
Continuous Drain  
Current (1)  
ID  
A
TC = 100°C  
90  
Pulsed Drain Current (2)  
Avalanche Energy (3)  
IDM  
354  
A
EAS  
338  
mJ  
TC = 25°C  
114  
Power Dissipation (4)  
PD  
W
TC = 100°C  
Junction & Storage Temperature Range  
45  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
RDS(ON) vs. VGS  
Gate Charge  
6
5
4
3
2
1
10  
ID = 20A  
VDS = 30V  
ID = 20A  
8
6
4
2
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
Qg (nC)  
VGS (V)  
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers  
Rev. 1.0  
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