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JMSL0402BGQ

更新时间： 2024-11-19 14:53:59

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捷捷微 - JJM		/
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汽车 MOSFET

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JMSL0402BGQ 数据手册

JMSL0402BGQ

40V 1.9mΩ N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low ON-resistance, R_DS(ON)

1.6

158

1.9

2.5

Low Gate Charge, Q_g

V_{GS(th)_Typ}

100% UIS and R_gTested

_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 4.5V)

mΩ

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

PDFN5x6-8L

Pin Configuration

Top View

Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSL0402BGQ-13

PDFN5x6-8L

SL0402BQ

-55 to 175

13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±20

V_GS

T_C= 25°C

158

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

112

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

633

E_AS

126

T_C= 25°C

125

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

I_D= 20A

V_DS= 20V

I_D= 20A

Q_g(nC)

V_GS(V)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev.1.2

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