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JMSL0402BG

更新时间： 2024-11-19 14:53:07

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
5页	320K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMSL0402BG 数据手册

JMSL0402BG

40V 1.9mΩ N-Ch Power MOSFET

Product Summary

Features

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low R_DS(ON)

Low Gate Charge

1.5

130

1.9

2.5

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

100% UIS Tested, 100% R_gTested

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 4.5V)

mΩ

Halogen-free and RoHS-compliant

Applications

•

Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications

Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems

Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving

PDFN5x6-8L

Pin Configuration

Top View

Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

PDFN5x6-8L

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSL0402BG-13

SL0402B

-55 to 150 13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±20

V_GS

T_C= 25°C

130

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

514

E_AS

126

T_C= 25°C

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

V_DS= 20V

_D= 20A

I_D= 20A

V_GS(V)

Q_g(nC)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.3

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