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JMSL0401BG

更新时间: 2024-11-19 14:54:11
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捷捷微 - JJM /
页数 文件大小 规格书
5页 320K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

JMSL0401BG 数据手册

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JMSL0401BG  
40V 0.85mΩ N-Ch Power MOSFET  
Product Summary  
Features  
Parameter  
VDS  
Value  
Unit  
V
Ultra-low RDS(ON)  
40  
1.5  
Low Gate Charge  
VGS(th)_Typ  
ID (@ VGS = 10V) (1)  
V
100% UIS Tested, 100% Rg Tested  
Pb-free Lead Plating  
243  
0.85  
1.2  
A
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)  
mΩ  
mΩ  
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)  
Halogen-free and RoHS-compliant  
Applications  
Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications  
Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems  
Load Switching, Quick/Wireless Charging, Motor Driving  
PDFN5x6-8L  
Pin Configuration  
Top View  
Top View  
Bottom View  
D
S
1
8
2
7
6
G
3
4
5
Ordering Information  
Device  
TJ (°C)  
-55 to 150  
Package  
PDFN5x6-8L  
# of Pins  
Marking  
MSL  
Media  
Quantity (pcs)  
JMSL0401BG-13  
8
SL0401B  
1
13-inch Reel  
5000  
Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
40  
±20  
VGS  
V
TC = 25°C  
243  
Continuous Drain  
Current (1)  
ID  
A
TC = 100°C  
153  
Pulsed Drain Current (2)  
Avalanche Current (3)  
Avalanche Energy (3)  
IDM  
IAS  
886  
A
A
46  
EAS  
317  
mJ  
TC = 25°C  
96  
Power Dissipation (4)  
PD  
W
TC = 100°C  
Junction & Storage Temperature Range  
38  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
RDS(ON) vs. VGS  
Gate Charge  
10  
8
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
VDS = 20V  
ID = 20A  
ID = 20A  
6
4
2
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
2
4
6
8
10  
12  
VGS (V)  
Qg (nC)  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers  
Rev. 1.3  
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