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JMSH1506AS

更新时间: 2024-11-08 14:54:55
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捷捷微 - JJM /
页数 文件大小 规格书
5页 305K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

JMSH1506AS 数据手册

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JMSH1506AS  
150V 5.2mN-Ch Power MOSFET  
Product Summary  
Features  
Parameter  
VDS  
Value  
Unit  
V
Ultra-low RDS(ON)  
Low Gate Charge  
150  
3.2  
157  
5.2  
VGS(th)_Typ  
V
D (@ VGS = 10V) (1)  
A
100% UIS Tested, 100% Rg Tested  
Pb-free Lead Plating  
I
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)  
m  
Halogen-free and RoHS-compliant  
Applications  
Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE  
Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems  
Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics  
TO-247-3L Top View  
TO-247-3L Bottem  
2. Drain  
1. Gate  
3.Source  
Ordering Information  
Device  
TJ (°C)  
Package  
# of Pins  
Marking  
MSL  
Media  
Quantity (pcs)  
JMSH1506AS-U  
TO-247-3L  
3
SH1506A  
N/A  
-55 to 150  
Tube  
30  
Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
150  
±20  
VGS  
V
TC = 25°C  
157  
Continuous Drain  
Current (1)  
ID  
A
TC = 100°C  
99  
Pulsed Drain Current (2)  
Avalanche Current (3)  
Avalanche Energy (3)  
IDM  
IAS  
489  
A
A
60  
EAS  
540  
mJ  
TC = 25°C  
347  
Power Dissipation (4)  
PD  
W
TC = 100°C  
139  
Junction & Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
RDS(ON) vs. VGS  
Gate Charge  
20  
10  
8
ID = 20A  
VDS = 75V  
D = 20A  
16  
12  
8
I
6
4
2
4
0
0
0
20  
40  
60  
80  
0
5
10  
15  
20  
VGS (V)  
Qg (nC)  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers  
Rev. 1.2  
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