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JMSH1102TE

更新时间： 2024-10-15 18:10:07

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捷捷微 - JJM		/
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7页	1231K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMSH1102TE 数据手册

110V, 199A, 2.3mΩ N-channel Power SGT MOSFET

JMSH1102TE

Product Summary

Features



Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

100% UIS TESTED

Parameters

V_DSS

Value

110

3.0

Unit

100% ΔVds TESTED

V_{GS(th)_Typ}

Halogen-free; RoHS-compliant

Pb-free plating

I_D(@V_GS=10V)

R_{DS(ON)_Typ}(@V_GS=10V

199

2.3

Applications



Load Switch

PWM Application

Power Management

Schematic Diagram

TO-263-3L Top View

Pin Assignment

Ordering Information

Device

Per Carton

Package

Marking

MSL

Form

Reel(pcs)

(pcs)

JMSH1102TE

TO-263-3L

SH1102T

Tape&Reel

800

4000

Absolute Maximum Ratings (@ T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

Unit

V_DS

V_GS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

110

±20

T_C= 25°C

199

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ⁽¹⁾

T_C= 100°C

126

I_DM

Refer to Fig.4

1384

Single Pulsed Avalanche Energy ⁽²⁾

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

E_AS

250

P_D

Power Dissipation

100

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Ambient⁽³⁾

Max

Symbol

Unit

R_θJA

°C/W

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

0.5

All product information is copyrighted and subject to legal disclaimers.

REV 1.1 | 1/7

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