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JMSH1008AG

更新时间： 2024-11-06 14:55:51

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捷捷微 - JJM		/
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5页	290K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMSH1008AG 数据手册

JMSH1008AG

100V 6.2m N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low R_DS(ON)

Low Gate Charge

100

2.8

V_GS(th)

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

100% UIS Tested, 100% R_gTested

Pb-free Lead Plating

R_DS(ON)(@ V_GS= 10V)

6.2

m

Halogen-free and RoHS-compliant

Applications

•

Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE

Current Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems

Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics

PDFN5x6-8L

Pin Configuration

Top View

Bottom View Type-B

Bottom View Type-A

Top View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSH1008AG-13

PDFN5x6-8L

1008H

-55 to 150 13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

100

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

V_GS

±20

T_C= 25°C

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

251

E_AS

101

T_C= 25°C

125

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

I_D= 20A

V_DS= 50V

_D= 13A

V_GS(V)

Q_g(nC)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 5.1

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