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JMSH1004BEQ

更新时间: 2024-11-06 14:50:03
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捷捷微 - JJM /
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6页 335K
描述
汽车 MOSFET

JMSH1004BEQ 数据手册

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JMSH1004BEQ  
100V 3.5mN-Ch Power MOSFET  
Features  
Product Summary  
Parameter  
VDS  
Value  
100  
2.7  
Unit  
V
Ultra‐low ON-resistance, RDS(ON)  
Low Gate Charge, Qg  
VGS(th)_Typ  
ID (@ VGS = 10V) (1)  
V
100% UIS and Rg Tested  
Pb-free Lead Plating  
160  
3.5  
A
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)  
m  
Halogen-free and RoHS-compliant  
AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications  
TO-263-3L Top View  
D
D
G
G
S
S
Ordering Information  
Device  
TJ (°C)  
-55 to 175  
Package  
# of Pins  
Marking  
MSL  
Media  
Quantity (pcs)  
JMSH1004BEQ-13  
TO-263-3L  
3
SH1004BQ  
1
13-inch Reel  
800  
Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
100  
±20  
VGS  
V
TC = 25°C  
160  
Continuous Drain  
Current (1)  
ID  
A
TC = 100°C  
113  
Pulsed Drain Current (2)  
Avalanche Current (3)  
Avalanche Energy (3)  
IDM  
IAS  
639  
A
A
45  
EAS  
304  
mJ  
TC = 25°C  
231  
Power Dissipation (4)  
PD  
W
TC = 100°C  
115  
Junction & Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
°C  
RDS(ON) vs. VGS  
Gate Charge  
10  
VDS = 50V  
ID = 20A  
ID = 20A  
8
6
4
2
0
0
15  
30  
45  
60  
Qg (nC)  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers  
Rev. 1.1  
Page 1 of 6  

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