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JMSH1004BE

更新时间： 2024-11-06 14:54:43

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
5页	342K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMSH1004BE 数据手册

JMSH1004BC

JMSH1004BE

100V 3.5m N-Ch Power MOSFET

Product Summary

Features

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low R_DS(ON)

Low Gate Charge

100

2.7

139

3.5

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

100% UIS Tested, 100% R_gTested

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

m

Halogen-free and RoHS-compliant

Applications

•

Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications

Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics

Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems

TO-220-3L Top View

TO-263-3L Top View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

TO-220-3L

TO-263-3L

# of Pins

Marking

SH1004B

MSL

N/A

Media

Tube

Quantity (pcs)

JMSH1004BC-U

JMSH1004BE-13

-55 to 150

13-inch Reel

800

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_C= 25°C

139

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

426

E_AS

304

T_C= 25°C

156

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

V_DS= 50V

_D= 20A

I_D= 20A

V_GS(V)

Q_g(nC)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 3.2

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