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JMSH1003AGWQ

更新时间： 2024-09-14 14:54:03

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捷捷微 - JJM		/
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汽车 MOSFET

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JMSH1003AGWQ 数据手册

JMSH1003AGWQ

100V 2.8m N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

100

2.9

Unit

•

Ultra-low ON-resistance, R_DS(ON)

Low Gate Charge, Q_g

V_GS(th)

100% UIS and R_gTested

_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

178

2.8

Wettable Flanks design support high manufacturability and

Automated Optical Inspection (AOI)

Pb-free Lead Plating

R_DS(ON)(@ V_GS= 10V)

m

•

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

PDFN5x6-8L-W

Pin Configuration

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Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

PDFN5x6-8L-W

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSH1003AGWQ-13

SH1003AQ

-55 to 175 13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_C= 25°C

178

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

_C= 100°C

125

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

576

E_AS

481

T_C= 25°C

214

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

107

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

I_D= 20A

V_DS= 50V

I_D= 20A

V_GS(V)

Q_g(nC)

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.1

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