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JMSH1002YE

更新时间： 2024-09-14 17:00:43

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捷捷微 - JJM		/
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6页	1075K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMSH1002YE 数据手册

JMSH1002YC

JMSH1002YE

100V 3.1mW N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low R_DS(ON)

•

100

3.2

175

3.1

•

Low Gate Charge

•

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

•

100% UIS Tested, 100% R_gTested

•

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

•

Halogen-free and RoHS-compliant

•

Applications

•

MPoowtoerrDMriavninaggeinmPeonwt einr CTooml,pEut-ivnegh,iCclEe,, RIEob4o.0ti,cCsommunications

Current Switching in DC/DC & AC/DC (SR) Sub-systems

PLoawderSMwiatcnhaignegm, Qenuticikn/WTeirlecleosms.C, Ihnadrugsintrgia,lMAouttoormDartiivoing, CE

TO-220-3L Top View

TO-263-3L Top View

Ordering Information

Device

Package

TO-220-3L

TO-263-3L

# of Pins

Marking

SH1002Y

MSL

T_J(°C)

Media

Tube

Quantity (pcs)

JMSH1002YC-U

JMSH1002YE-13

-55 to 150

13-inch Reel

800

(@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_DS

Value

100

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

V_GS

±20

T_C= 25°C

175

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

110

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

700

E_AS

600

T_C= 25°C

250

(4)

P_D

Power Dissipation

T_C= 100°C

100

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

I_D= 20A

V_DS= 50V

I_D= 20A

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.0

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