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JMSH1002ASQ

更新时间： 2024-09-14 14:55:39

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捷捷微 - JJM		/
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6页	355K
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汽车 MOSFET

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JMSH1002ASQ 数据手册

JMSH1002ASQ

100V 1.8m N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low ON-resistance, R_DS(ON)

100

2.7

333

1.8

Low Gate Charge, Q_g

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

100% UIS and R_gTested

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

m

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

TO-247-3L Top View

TO-247-3L Bottom

2. Drain

1. Gate

3.Source

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

# of Pins

Marking

MSL

Media

13-inch Reel

Quantity (pcs)

JMSH1002ASQ-U

TO-247-3L

SH1002A

-55 to 175

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

100

±20

V_GS

T_C= 25°C

333

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

236

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

1333

1458

500

E_AS

T_C= 25°C

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

250

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

V_DS= 50V

_D= 20A

I_D= 20A

V_GS(V)

120

160

Q_g(nC)

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.0

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