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JMSH0605AGDQ

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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捷捷微 - JJM		/
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6页	317K
描述
汽车 MOSFET

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JMSH0605AGDQ 数据手册

JMSH0605AGDQ

60V 4.7mΩ N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

•

Ultra-low R_DS(ON)

Low Gate Charge

Parameter

V_DS

Value

Unit

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

2.8

100% UIS Tested, 100% R_gTested

Pb-free Lead Plating

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

4.7

mΩ

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

PDFN5x6-8L-D

Pin Configuration

Chip-1 & Chip-2

Top View

Bottom View

Top View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSH0605AGDQ-13

PDFN5x6-8L-D

H0605ADQ

-55 to 175 13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±20

V_GS

T_C= 25°C

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

224

E_AS

216

T_C= 25°C

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

18.7

-55 to 175

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

I_D= 20A

V_DS= 30V

I_D= 20A

V_GS(V)

Q_g(nC)

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.0

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