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JMSH0601BGQ

更新时间： 2023-12-06 19:43:45

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捷捷微 - JJM		/
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6页	412K
描述
汽车 MOSFET

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JMSH0601BGQ 数据手册

JMSH0601BGQ

60V 1.0m N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low ON-resistance, R_DS(ON)

Low Gate Charge, Q_g

V_{GS(th)_Typ}

2.8

_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

314

1.0

100% UIS and R_gTested

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

Pb-free Lead Plating

m

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

PDFN5x6-8L

Pin Configuration

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Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSH0601BGQ-13

PDFN5x6-8L

SH0601BQ

-55 to 175

13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±20

V_GS

T_C= 25°C

314

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

222

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

1255

1014

214

E_AS

T_C= 25°C

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

107

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

V_DS= 30V

I_D= 20A

Q_g(nC)

100

120

V_GS(V)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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