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JMSH0401CGQ

更新时间： 2023-12-06 20:09:25

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捷捷微 - JJM		/
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6页	355K
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汽车 MOSFET

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JMSH0401CGQ 数据手册

JMSH0401CGQ

40V 1.1mΩ N-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

V_DS

Value

Unit

•

Ultra-low R_DS(ON)

Low Gate Charge

V_GS(th)

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

2.8

100% UIS Tested, 100% R_gTested

Pb-free Lead Plating

252

1.1

R_DS(ON)(@ V_GS= 10V)

mΩ

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

PDFN5x6-8L

Pin Configuration

Top View

Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

PDFN5x6-8L

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMSH0401CGQ-13

SH0401CQ

-55 to 175 13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±20

V_GS

T_C= 25°C

252

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

178

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

1008

600

E_AS

T_C= 25°C

166

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 175

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

I_D= 20A

V_DS= 20V

I_D= 20A

V_GS(V)

Q_g(nC)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.1

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