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JMH65R360AF

更新时间： 2024-11-04 14:51:59

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捷捷微 - JJM		高压
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6页	353K
描述
高压 MOSFET (≥ 400V)

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JMH65R360AF 数据手册

JMH65R360AF

650V SuperJunction Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

Value

Unit

•

Extremely Low Gate Charge

Excellent Output Capacitance (C_oss) Profile

V_DS

650

3.3

V_{GS(th)_Typ}

_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

Fast Switching Capability

11.0

320

2.5

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

E_oss@400V

100% UIS Tested, 100% Rg Tested

Pb-free Lead Plating

m

J

Halogen-free and RoHS-compliant

Applications

•

Telecom / Server Power Supplies

Industrial Power Supplies

UPS / Solar

Lighting / Charger / Adapter

TO-220FP-3L

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Top View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

TO-220FP-3L

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMH65R360AF-U

H65R360A

-55 to 150

Tube

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

650

±30

V_GS

T_C= 25°C

11.0

6.5

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

6.3

E_AS

198

T_C= 25°C

104

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

1500

1200

900

600

300

V_DS= 325V

I_D= 5.5A

V_GS(V)

Q_g(nC)

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.0

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