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JMH65R290AE

更新时间: 2024-11-04 14:54:03
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捷捷微 - JJM 高压
页数 文件大小 规格书
5页 302K
描述
高压 MOSFET (≥ 400V)

JMH65R290AE 数据手册

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JMH65R290AE  
650V SuperJunction Power MOSFET  
Features  
Product Summary  
Parameter  
Value  
650  
Unit  
V
Extremely Low Gate Charge  
Excellent Output Capacitance (Coss) Profile  
VDS  
VGS(th)_Typ  
ID (@ VGS = 10V) (1)  
3.5  
V
Fast Switching Capability  
12.0  
259  
A
100% UIS Tested, 100% Rg Tested  
Pb-free Lead Plating  
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)  
m  
J  
Eoss@400V  
4.59  
Halogen-free and RoHS-compliant  
Applications  
Telecom / Server Power Supplies  
Industrial Power Supplies  
UPS / Solar  
Lighting / Charger / Adapter  
TO-263-3L Top View  
D
D
S
G
G
S
Ordering Information  
Device  
TJ (°C)  
Package  
# of Pins  
Marking  
MSL  
Media  
Quantity (pcs)  
JMH65R290AE-13  
TO-263-3L  
3
H65R290A  
1
-55 to 150  
13-inch Reel  
800  
Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
650  
±25  
12.0  
8.0  
48  
VGS  
V
TC = 25°C  
Continuous Drain  
Current (1)  
Pulsed Drain Current (2)  
Avalanche Current (3)  
Avalanche Energy (3)  
ID  
A
TC = 100°C  
IDM  
IAS  
A
A
7.5  
281  
31  
EAS  
mJ  
TC = 25°C  
Power Dissipation (4)  
PD  
W
TC = 100°C  
13  
Junction & Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
RDS(ON) vs. VGS  
Gate Charge  
10  
8
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
VDS = 10V  
D = 7.5A  
ID = 7.5A  
I
6
4
2
0
0
5
10  
15  
Qg (nC)  
20  
25  
0
5
10  
15  
20  
VGS (V)  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers  
Rev 1.0  
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