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JMH65R110AEFD

更新时间： 2024-11-04 14:55:23

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捷捷微 - JJM		高压
页数	文件大小	规格书
5页	330K
描述
高压 MOSFET (≥ 400V)

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JMH65R110AEFD 数据手册

JMH65R110ACFD

JMH65R110AEFD

650V SuperJunction Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

Value

650

3.5

Unit

•

Extremely Low Gate Charge

Excellent Output Capacitance (C_oss) Profile

V_DS

V_{GS(th)_Typ}

Fast Switching Capability

I_D(@ V_GS= 10V) ⁽¹⁾

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= 10V)

E_oss@400V

35.0

100% UIS Tested, 100% R_gTested

Pb-free Lead Plating

m

J

7.77

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

Applications

•

Switching Applications

TO-220-3L Top View

TO-263-3L Top View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

TO-220-3L

TO-263-3L

# of Pins

Marking

65R110AF

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMH65R110ACFD-13

JMH65R110AEFD-13

-55 to 150

Tube

-55 to 150 13-inch Reel

800

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

650

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

V_GS

±30

T_C= 25°C

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

137

10.0

500

E_AS

T_C= 25°C

313

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

125

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

400

300

200

100

V_DS= 325V

I_D= 10A

Q_g(nC)

V_GS(V)

Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev 1.0

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