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JM38510/29102BJA

更新时间: 2023-02-26 14:16:37
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CDIP24

JM38510/29102BJA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:200 ns其他特性:ADDRESS LATCH
JESD-30 代码:R-GDIP-T24内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

JM38510/29102BJA 数据手册

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