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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.35 |
| Is Samacsys： | N | 系列： | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 长度： | 19.56 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NOR GATE |
| 最大I（ol）： | 0.0015 A | 功能数量： | 3 |
| 输入次数： | 3 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC）： | 0.03 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 250 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 250 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | MIL-M-38510 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.67 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CD4025BEE4 | TI |
完全替代  |
CMOS NOR Gates |
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| CD4025BE | TI |
完全替代 |
CMOS NOR Gates |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JM38510/05352BEA | TI |
获取价格 |
CMOS Quad AND/OR Select Gate |
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| JM38510/05352BEA | RENESAS |
获取价格 |
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT AND-OR GATE, CDIP16 |
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| JM38510/05352BEA | ROCHESTER |
获取价格 |
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT AND-OR GATE, CDIP16, PACKAGE-16 |
|
| JM38510/05353BCA | TI |
获取价格 |
CMOS QUAD EXCLUSIVE-OR GATE |
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| JM38510/05353BCA | RENESAS |
获取价格 |
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14 |
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| JM38510/05353BCA | ROCHESTER |
获取价格 |
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14, PACKAGE-14 |
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| JM38510/05503BEA | RENESAS |
获取价格 |
4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP16 |
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| JM38510/05504BEA | RENESAS |
获取价格 |
4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT NON-INVERT GATE, CDIP16 |
|
| JM38510/05553BEA | RENESAS |
获取价格 |
Inverter, 4000/14000/40000 Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDIP16 |
|
| JM38510/05553BEA | TI |
获取价格 |
军用 6 通道 3V 至 18V 反相器 | J | 16 | -55 to 125 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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