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JFE2140DR

更新时间： 2023-09-03 20:29:25

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德州仪器 - TI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
30页	1744K
描述
双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET \| D \| 8 \| -40 to 125

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JFE2140DR 数据手册

JFE2140

ZHCSLE0A –AUGUST 2021 –REVISED MARCH 2022

JFE2140 超低噪声、匹配低栅电流双离散音频N 通道JFET

mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件会产生 0.9 nV/√

Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ)

提供超低噪声性能。此外，可按照 ±4 mV 测试 JFET

之间的匹配性，确保差分对配置具有低失调电压和高

CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的

集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可

提供保护。

1 特性

• 超低噪声：

– 电压噪声：

• 1 kHz 时为0.9 nV/√Hz，I_DS= 5 mA

• 1 kHz 时为1.1 nV/√Hz，I_DS= 2mA

– 电流噪声：1 kHz 时为1.6 fA/√Hz

• 低V_GS失配：4 mV（最大值）

• 低栅极电流：10 pA（最大值）

• 低输入电容：V_DS= 5V 时为13 pF

• 高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V

• 高跨导：30 mS

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V

的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为

–40°C 至+125°C。

器件信息

封装⁽¹⁾

WSON (8) - 预发布

SOIC (8)

封装尺寸（标称值）

2.00mm × 2.00mm

4.90mm × 3.90mm

器件型号

JFE2140

• 封装：SOIC，2mm × 2mm WSON（预发布）

2 应用

• 麦克风输入

• 水听器和船用设备

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。

• DJ 控制器、混频器和其他DJ 设备

• 专业音频混合器或控制平面

• 吉他放大器和其他乐器放大器

• 状态监控传感器

器件概述

参数

值

V_GSS

V_DSS

C_ISS

-40 V

栅源电压

漏源电压

输入电容

±40 V

13 pF

±4 mV

3 说明

_GS1–V_GS2

差分栅源电压匹配

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工

艺构建的 Burr-Brown^™匹配对分立式 JFET 。

JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备

的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪

声性能，静态电流可由用户设置，范围为50 μA 至20

–40°C

至

+125°C

T_J

结温

I_DSS

18 mA

漏源饱和电流

VCH

CLAMPING

DIODES

VCL

简化版原理图

超低输入电压噪声

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS730

12 3 4 5 6 7...30

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