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JFE150DCKT

更新时间: 2024-09-27 11:13:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极
页数 文件大小 规格书
30页 2091K
描述
超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET | DCK | 5 | -40 to 125

JFE150DCKT 数据手册

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JFE150  
ZHCSLR8B JUNE 2021 REVISED APRIL 2023  
JFE150 超低噪音、低栅极电流、音频、N JFET  
设置并为 50μA 20mA 的电流提供出色的噪声性  
能。当偏置电流5mA 该器件会产0.8nV/Hz  
的输入参考噪声从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提  
供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点  
的集成二极管无需添加高泄漏、非线性外部二极管即  
可提供保护。  
1 特性  
• 超低噪声:  
– 电压噪声:  
1kHz 0.8nV/HzIDS = 5mA  
1kHz 0.9nV/HzIDS = 2mA  
– 电流噪声1 kHz 1.8fA/Hz  
• 低栅极电流10 pA最大值)  
• 低输入电容VDS = 5V 24pF  
• 高栅漏电压和栅源击穿电压-40 V  
• 高跨导68mS  
JFE150 可承受 40V 的高漏源电压以及低至 –40V  
的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为  
40°C + 125°C并采用 5 引脚 SOT-23 SC70  
封装。  
封装信息  
封装(1)  
• 封装SC70 SOT-23  
封装尺寸标称值)  
2.90mm × 1.60mm  
2.00mm × 1.25mm  
器件型号  
JFE150  
2 应用  
DBVSOT-235)  
DCKSC705)  
麦克风输入  
水听器和船用设备  
DJ 控制器、混频器和其DJ 设备  
专业音频混合器或控制平面  
吉他放大器和其他乐器放大器  
状态监控传感器  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
器件概要  
参数  
栅源击穿电压  
漏源击穿电压  
输入电容  
VGSS  
VDSS  
CISS  
TJ  
-40 V  
±40V  
24pF  
3 说明  
JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工  
艺构建的 Burr-Brown分立式 JFETJFE150 具有以  
前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150  
提供出色的噪声功率效率和灵活性静态电流可由用户  
40°C +125°C  
结温  
IDSS  
35mA  
漏源饱和电流  
D
VCH  
G
VCL  
S
功能方框图  
超低输入电压噪声  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS732  
 
 
 
 
 

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