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JFE150

更新时间： 2023-09-03 20:32:45

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德州仪器 - TI		栅栅极
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30页	2091K
描述
超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

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JFE150 数据手册

JFE150

ZHCSLR8B –JUNE 2021 –REVISED APRIL 2023

JFE150 超低噪音、低栅极电流、音频、N 通道JFET

设置，并为 50μA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性

能。当偏置电流为5mA 时，该器件会产生0.8nV/√Hz

的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提

供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点

的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即

可提供保护。

1 特性

• 超低噪声：

– 电压噪声：

• 1kHz 时为0.8nV/√Hz，I_DS= 5mA

• 1kHz 时为0.9nV/√Hz，I_DS= 2mA

– 电流噪声：1 kHz 时为1.8fA/√Hz

• 低栅极电流：10 pA（最大值）

• 低输入电容：V_DS= 5V 时为24pF

• 高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V

• 高跨导：68mS

JFE150 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V

的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为

–40°C 至 + 125°C，并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70

封装。

封装信息

封装⁽¹⁾

• 封装：小型SC70 和SOT-23

封装尺寸（标称值）

2.90mm × 1.60mm

2.00mm × 1.25mm

器件型号

JFE150

2 应用

DBV（SOT-23，5)

DCK（SC70，5）

• 麦克风输入

• 水听器和船用设备

• DJ 控制器、混频器和其他DJ 设备

• 专业音频混合器或控制平面

• 吉他放大器和其他乐器放大器

• 状态监控传感器

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。

器件概要

参数

栅源击穿电压

漏源击穿电压

输入电容

值

V_GSS

V_DSS

C_ISS

T_J

-40 V

±40V

24pF

3 说明

JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工

艺构建的 Burr-Brown^™分立式 JFET。JFE150 具有以

前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150

提供出色的噪声功率效率和灵活性，静态电流可由用户

–40°C 至+125°C

结温

I_DSS

35mA

漏源饱和电流

VCH

VCL

功能方框图

超低输入电压噪声

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS732

12 3 4 5 6 7...30

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