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JDV21D12

更新时间: 2024-09-26 19:11:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
Voltage Multiplier Diode, Silicon,

JDV21D12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-XXMA-X3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.87
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VOLTAGE MULTIPLIER DIODEJESD-30 代码:R-XXMA-X3
JESD-609代码:e0元件数量:4
端子数量:3最大输出电流:8000 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JDV21D12 数据手册

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