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JANTXVR2N2905A

更新时间： 2024-11-21 10:48:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

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JANTXVR2N2905A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

JANTXVR2N2905A 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 290

Devices

Qualified Level

JAN

2N2904

2N2904A

2N2904AL

2N2905

2N2905A

2N2905AL

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

2N2904 2N2904A, L

Symbol 2N2905 2N2905A, L Unit

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

5.0

600

Vdc

TO-39* (TO-205AD)

2N2904, 2N2904A

2N2905, 2N2905A

Vdc

mAdc

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

0.6

3.0

⁰C

P_T

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

Operating & Storage Junction Temp. Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/mW

Thermal Resistance, Junction-to-Case

0.29

qJC

TO-5*

2N2904AL, 2N2905AL

1) Derate linearly 3.43 W/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 17.2 W/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

2N2904, 2N2905

V_(BR)

CEO

2N2904A, L, 2N2905A, L

Collector-Emitter Cutoff Voltage

V_CE= 40 Vdc

V_CE= 60 Vdc

I_CES

2N2904, 2N2905

2N2904A, L, 2N2905A, L

mAdc

1.0

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

2N2904, 2N2905

2N2904A, L, 2N2905A, L

All Types

hAdc

mAdc

I_CBO

V_CB= 60 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.5 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTXVR2N7262U	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 5.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC,
JANTXVR2N7380	INFINEON	获取价格	Rad hard, 100V, 14.4A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100
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JANTXVR2N7382	INFINEON	获取价格	Rad hard, -100V, -1.1A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100
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