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JANTXVF2N7425U

更新时间： 2023-06-19 14:26:27

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英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	875K
描述
Rad hard, -100V, -38A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(Si) TID, QPL

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JANTXVF2N7425U 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.77	其他特性：	RADIATION HARDENED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	38 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	152 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/655C	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON

JANTXVF2N7425U 数据手册

PD-91433D

IRHNA9160

JANSR2N7425U

100V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/655

RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-2)

Product Summary

Part Number

IRHNA9160

IRHNA93160

Radiation Level

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

RDS(on)

0.068

I_D

QPL Part Number

-38A

JANSR2N7425U

JANSF2N7425U

SMD-2

Description

Features

IRHNA9160 is part of the International Rectifier HiRel

family of products. IR HiRel RAD-Hard HEXFET

technology provides high performance power MOSFETs

for space applications. This technology has over a decade

of proven performance and reliability in satellite

applications. These devices have been characterized for

both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The

combination of low Rdson and low gate charge reduces

the power losses in switching applications such as DC to

DC converters and motor control. These devices retain all

of the well established advantages of MOSFETs such as

voltage control, fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of electrical parameters.

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions

 Low RDS(on)

 Repetitive Avalanche Ratings

 Dynamic dv/dt Ratings

 Simple Drive Requirements

 Ease of Paralleling

 Hermetically Sealed

 Surface Mount

 Ceramic Package

 Light Weight

 ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pre-Irradiation

Units

-38

I_D@ V_GS= -12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= -12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-24

-152

300

2.4

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

± 20

500

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

-38

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

-17

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Package Mounting Surface Temperature

Weight

°C

300 (for 5s)

3.3 (Typical)

For Footnotes refer to the page 2.

2018-03-09

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7 8

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