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JANTXV2N7324D

更新时间: 2024-02-09 13:47:05
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 126K
描述
16A, 200V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2

JANTXV2N7324D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):16 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON

JANTXV2N7324D 数据手册

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