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JANTXV2N3749

更新时间: 2024-10-01 20:28:47
品牌 Logo 应用领域
APITECH /
页数 文件大小 规格书
5页 295K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin

JANTXV2N3749 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.2外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-111JESD-30 代码:O-MUPM-D4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:0.25 V
Base Number Matches:1

JANTXV2N3749 数据手册

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