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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N2484UA | ETC |
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BJT |
|
| JANTXV2N2484UB | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTXV2N2604A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JANTXV2N2605 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| JANTXV2N2605UB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMI |
|
| JANTXV2N2812 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
|
| JANTXV2N2814 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
|
| JANTXV2N2857 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72 |
|
| JANTXV2N2857UB | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| JANTXV2N2880 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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