JANTXV2N2329

更新时间： 2024-11-26 22:41:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅极可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTXV2N2329 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.24
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	350 mA
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/276F	重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR

JANTXV2N2329 数据手册

TECHNICAL DATA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/ 276

Devices

Qualified

Level

2N2323

2N2323S

2N2323A

2N2324

2N2324S

2N2324A

2N2326

2N2326S

2N2326A

2N2328

2N2328S

2N2328A

JAN

JANTX

JANTXV

2N2329

2N2329S

2N2323AS 2N2324AS 2N2326AS 2N2328AS

MAXIMUM RATINGS

2N2323,S/ 2N2324,S/ 2N2326,S/ 2N2328,S/

2N2323A,S 2N2324A,S 2N2326A,S 2N2328A,S

Ratings

Reverse Voltage

Sym

2N2329,S Unit

V_RM

100

200

300

400

500

Vdc

Vpk

Adc

Vpk

⁰C

Working Peak Reverse Voltage V_RM

150

300

400

Forward Blocking Voltage

V_FBXM

I_O

50^(3/4)

100^(3/4)

200^(3/4)

0.22

300^(3/4)

400⁽³⁾

Average Forward Current ⁽¹⁾

Forward Current Surge Peak⁽²⁾I_FSM

Cathode-Gate Current

Operating Temperature

Storage Junction Temp

V_KGM

T_op

T_stg

-65 to +125

-65 to +150

⁰C

1) This average forward current is for an ambient temperature of 80⁰C and 180 electrical degrees of

conduction.

2) Surge current is non-recurrent. The rate of rise of peak surge current shall not exceed 40 A during

the first 5 ms after switching from the ‘off’ (blocking) to the ‘on’ (conducting) state. This is measured

from the point where the thyristor voltage has decayed to 90% of its initial blocking value.

3) Gate connected to cathode through 1,000 ohm resistor.

TO-5

4) Gate connected to cathode through 2,000 ohm resistor.

*See appendix A

for package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

SUBGROUP 2 TESTING

Reverse Blocking Current

R₂= 1 km

2N2323 thru 2N2329

2N2323S thru 2N2329S

2N2323A thru 2N2328A

2N2323AS thru 2N2328AS

2N2323, S, A, AS

2N2324, S, A, AS

2N2326, S, A, AS

2N2328, S, A, AS

2N2329, S,

R₂= 2 km

mAdc

I_RBX1

V_R= 50 Vdc

V_R= 100 Vdc

V_R= 200 Vdc

V_R= 300 Vdc

V_R= 400 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与JANTXV2N2329相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N2329A	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JANTXV2N2329AS	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JANTXV2N2329S	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JANTXV2N2369A	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JANTXV2N2369AU	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| LLCC
JANTXV2N2369AUA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| LLCC
JANTXV2N2369AUB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| LLCC
JANTXV2N2432	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
JANTXV2N2432A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JANTXV2N2484	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

与JANTXV2N2329相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N2329

JANTXV2N2329 技术参数

JANTXV2N2329 数据手册

与JANTXV2N2329相关器件

与JANTXV2N2329相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N2329

JANTXV2N2329 技术参数

JANTXV2N2329 数据手册

与JANTXV2N2329相关器件

与JANTXV2N2329相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？