Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> JANTXV2N2324S

JANTXV2N2324S

更新时间： 2024-11-26 22:16:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER

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JANTXV2N2324S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
标称电路换相断开时间：	20 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	350 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	2 mA	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/276F
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	100 V
重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

JANTXV2N2324S 数据手册

TECHNICAL DATA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/ 276

Devices

Qualified

Level

2N2323

2N2323S

2N2323A

2N2324

2N2324S

2N2324A

2N2326

2N2326S

2N2326A

2N2328

2N2328S

2N2328A

JAN

JANTX

JANTXV

2N2329

2N2329S

2N2323AS 2N2324AS 2N2326AS 2N2328AS

MAXIMUM RATINGS

2N2323,S/ 2N2324,S/ 2N2326,S/ 2N2328,S/

2N2323A,S 2N2324A,S 2N2326A,S 2N2328A,S

Ratings

Reverse Voltage

Sym

2N2329,S Unit

V_RM

100

200

300

400

500

Vdc

Vpk

Adc

Vpk

⁰C

Working Peak Reverse Voltage V_RM

150

300

400

Forward Blocking Voltage

V_FBXM

I_O

50^(3/4)

100^(3/4)

200^(3/4)

0.22

300^(3/4)

400⁽³⁾

Average Forward Current ⁽¹⁾

Forward Current Surge Peak⁽²⁾I_FSM

Cathode-Gate Current

Operating Temperature

Storage Junction Temp

V_KGM

T_op

T_stg

-65 to +125

-65 to +150

⁰C

1) This average forward current is for an ambient temperature of 80⁰C and 180 electrical degrees of

conduction.

2) Surge current is non-recurrent. The rate of rise of peak surge current shall not exceed 40 A during

the first 5 ms after switching from the ‘off’ (blocking) to the ‘on’ (conducting) state. This is measured

from the point where the thyristor voltage has decayed to 90% of its initial blocking value.

3) Gate connected to cathode through 1,000 ohm resistor.

TO-5

4) Gate connected to cathode through 2,000 ohm resistor.

*See appendix A

for package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

SUBGROUP 2 TESTING

Reverse Blocking Current

R₂= 1 km

2N2323 thru 2N2329

2N2323S thru 2N2329S

2N2323A thru 2N2328A

2N2323AS thru 2N2328AS

2N2323, S, A, AS

2N2324, S, A, AS

2N2326, S, A, AS

2N2328, S, A, AS

2N2329, S,

R₂= 2 km

mAdc

I_RBX1

V_R= 50 Vdc

V_R= 100 Vdc

V_R= 200 Vdc

V_R= 300 Vdc

V_R= 400 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTXV2N2325AN	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 150V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN
JANTXV2N2325N	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN
JANTXV2N2326	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JANTXV2N2326A	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JANTXV2N2326AN	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 200V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN
JANTXV2N2326AS	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
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