JANTXV1N914R

更新时间： 2024-01-13 03:54:27

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管开关
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2页	47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,

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JANTXV1N914R 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.125 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/116
最大反向恢复时间：	0.005 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

JANTXV1N914R 数据手册

• 1N914 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV

PER MIL-PRF-19500/116

1N914

• SWITCHING DIODE

• HERMETICALLY SEALED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

0.068/0.076

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +200°C

1.73/1.93

Operating Current: 75 mA @ T = + 25°C

Derating Factor: 0.5 mA/°C Above T = + 25°C

Surge Current A: 1A, sine wave, P = 8.3ms

Surge Current B: 0.704A, square wave, P = 8.3ms

POLARITY

BAND

(CATHODE)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified

f 1

f 2

= 10 mA

= 50 mA

RWM

(Note 1)

Volts (min)

100

Volts (pk)

V dc

0.8

V dc

1.2

n sec

FIGURE 1

@ 20 V

@ 75 V

CAPACITANCE CAPACITANCE

DESIGN DATA

@ 20 V dc

@ 75 V dc

@ 0 V

@ 1.5 V

= 150°C

µA

= 150°C

µA

CASE: Hermetically sealed

glass case per MIL-S-19500/116

D0-35 outline

µA

0.5

4.0

2.8

LEAD MATERIAL: Copper clad steel.

LEAD FINISH: Tin / Lead

NOTE 1

I = I = 10 mA, R = 100 ohms.

F R L

THERMAL RESISTANCE: (R

OJL

250 °C/W maximum at L = .375

THERMAL IMPEDANCE: (Z

°C/W maximum

): 70

POLARITY: Cathode end is banded.

MOUNTING POSITION: Any.

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

FAX (781) 689-0803

WEBSITE: http://www.microsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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