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JANTXV1N6319US

更新时间: 2024-02-06 07:27:08
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JANTXV1N6319US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-XELF-R2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.16外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-XELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/533F
标称参考电压:6.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

JANTXV1N6319US 数据手册

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JANTXV1N6319US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N6319US MICROSEMI

完全替代

Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JANTX1N6319US MICROSEMI

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