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JANTXV1N6317US

更新时间: 2023-01-02 23:13:58
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 110K
描述
DIODE 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

JANTXV1N6317US 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.15
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/533F
标称参考电压:5.1 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

JANTXV1N6317US 数据手册

  

JANTXV1N6317US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N6317US MICROSEMI

完全替代

Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
1N6317US MICROSEMI

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