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JANTXV1N6310US

更新时间: 2024-11-30 08:55:23
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 126K
描述
DIODE 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

JANTXV1N6310US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-XELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.16
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/533F标称参考电压:2.7 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

JANTXV1N6310US 数据手册

  

JANTXV1N6310US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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