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JANTXV1N6173

更新时间: 2024-11-04 11:23:51
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6173 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.44
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:152 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXV1N6173 数据手册

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