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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-13 |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.24 |
| 最大击穿电压： | 210 V | 最小击穿电压： | 190 V |
| 外壳连接： | CATHODE | 最大钳位电压： | 274 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 171 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5665ATR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N5711 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JANTXV1N5711-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JANTXV1N5711-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JANTXV1N5711-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| JANTXV1N5711UB | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JANTXV1N5711UBCA | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JANTXV1N5711UBCC | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JANTXV1N5711UBD | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JANTXV1N5711UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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