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JANTXV1N5519CUR-1

更新时间: 2025-07-17 19:19:55
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美国微芯 - MICROCHIP /
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描述
稳压精度:±2%;元器件封装:DO-213;

JANTXV1N5519CUR-1 数据手册

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与JANTXV1N5519CUR-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N5519CUR-1TR MICROSEMI

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Zener Diode, 3.6V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS
JANTXV1N5519CURTR MICROSEMI

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暂无描述
JANTXV1N5519CURTR-1 MICROSEMI

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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
JANTXV1N5519D MICROSEMI

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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
JANTXV1N5519D-1 MICROSEMI

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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
JANTXV1N5519DTR-1 MICROSEMI

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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
JANTXV1N5519DUR MICROSEMI

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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
JANTXV1N5519DUR-1 MICROSEMI

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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
JANTXV1N5519DUR-1 MICROCHIP

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稳压精度:±1%;元器件封装:DO-213;
JANTXV1N5519DUR-1TR MICROSEMI

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Zener Diode, 3.6V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS