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JANTXV1N5146A PDF预览

JANTXV1N5146A

更新时间： 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX /
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

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JANTXV1N5146A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-7
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.07
最小击穿电压：60 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管电容容差：4.84%
最小二极管电容比：3.2标称二极管电容：33 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码：DO-7JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最小质量因数：200
参考标准：MIL-19500/383B表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

JANTXV1N5146A 数据手册

  
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES  
1N5139 - 1N5148  
1N5139A - 1N5148A  
PART  
NUMBER  
CAPACITANCE @ 4 Vdc  
pF  
CAPACITANCE RATIO  
C•4V / C•60V  
MIN  
MIN QUALITY FACTOR  
Q @ 4 Vdc  
MIN  
NOM  
MAX  
f = 50 MHz  
1N5139  
1N5139A  
6.12  
6.46  
6.8  
6.8  
7.48  
7.14  
2.7  
2.7  
350  
350  
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
1N5140  
1N5140A  
1N5141  
1N5141A  
1N5142  
1N5142A  
1N5143  
1N5143A  
1N5144  
1N5144A  
1N5145  
1N5145A  
1N5146  
1N5146A  
1N5147  
9.0  
9.5  
10.0  
10.0  
12.0  
12.0  
15.0  
15.0  
18.0  
18.0  
22.0  
22.0  
27.0  
27.0  
33.0  
33.0  
39.0  
39.0  
47.0  
47.0  
11.0  
10.5  
13.2  
12.6  
16.5  
15.7  
19.8  
18.9  
24.2  
23.1  
29.7  
28.3  
36.3  
34.6  
42.9  
40.9  
51.7  
49.3  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
300  
300  
300  
300  
250  
250  
250  
250  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
10.8  
11.4  
13.5  
14.3  
16.2  
17.1  
19.8  
20.9  
24.3  
25.7  
29.7  
31.4  
36.1  
37.1  
42.3  
44.7  
1N5147A  
1N5148  
1N5148A  
Package Style  
DO-7  
DC Power Dissipation (Pd)  
Forward Current (If)  
Min Reverse Breakdown Voltage (Bvr) @ Ir = 10 µAdc  
Max Reverse Current (IR)  
Max Reverse Current (IR2)  
Temp Coefficient of Capacitance  
Operating Temperature Range (Topr)  
Storage Temperature Range (Tstg)  
Voltage Tolerance:  
400 mW  
250 mA  
65 Vdc  
20 nAdc  
@ Vr = 55 Vdc  
@ Vr = 55 Vdc; Ta = 150°C  
@ Vr=4 Vdc; Ta -40 to +85°C .03%/°C  
-65 to + 175°C  
20 µAdc  
-65 to + 200°C  
±10%  
± 5%  
Standard Device  
Suffix A  
¨
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX - JANTXV  
P.O. BOX 609 · ROCKPORT, MAINE 04856 · 207-236-6076 · FAX 207-236-9558  
1

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与JANTXV1N5146A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N5147A AEROFLEX

获取价格

 		Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5148A AEROFLEX

获取价格

 		Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5186 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
JANTXV1N5187 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
JANTXV1N5188 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
JANTXV1N5189 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2
JANTXV1N5190 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
JANTXV1N5194 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5194-1 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,
JANTXV1N5195 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,

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