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JANTX2N6988

更新时间： 2024-09-26 20:17:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC, FP-14

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JANTX2N6988 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.25	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-CDFP-F14
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	14	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/558D	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

JANTX2N6988 数据手册

TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 558

Devices

Qualified Level

JAN

2N6987

2N6987U

JANTX

JANTXV

JANS

2N6988

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Ratings

Symbol

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage ⁽⁴⁾

Collector-Base Voltage ⁽⁴⁾

Emitter-Base Voltage ⁽⁴⁾

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N6987*

TO- 116

Vdc

5.0

Vdc

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

2N6987 ⁽²⁾

1.5

1.0

0.4

⁰C

P_T

2N6987U ⁽²⁾

2N6988 ⁽³⁾

2N6987U*

20 PIN LEADLESS

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

3) Derate linearly 2.286 mW/⁰C above T_A= +25⁰C.

4) Ratings apply to each transistor in the array.

2N6988*

14 PIN FLAT PACK

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

Symbol

V_(BR)CEO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

mAdc

hAdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 5.0 Vdc

V_EB= 3.5 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N6988 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N6988	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
JAN2N6988	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
2N6988	MICROSEMI	完全替代	MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

与JANTX2N6988相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N6989	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116,
JANTX2N6989U		获取价格	Surface Mount Quad NPN Transistor
JANTX2N6990	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-86,
JANTX2N6990U	ETC	获取价格	BJT
JANTX2N718A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N720A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N7218	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
JANTX2N7218D	INFINEON	获取价格	暂无描述
JANTX2N7218U	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANTX2N7219	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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