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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6987 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| JANTX2N6987 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| JANTX2N6987U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LLCC |
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| JANTX2N6988 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-86, |
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| JANTX2N6988 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| JANTX2N6989 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, |
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| JANTX2N6989U |
获取价格 |
Surface Mount Quad NPN Transistor |
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| JANTX2N6990 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-86, |
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| JANTX2N6990U | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| JANTX2N718A | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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