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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.69 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 8.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6902 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
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| JANTX2N6903 | RENESAS |
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980mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF, FORMERLY TO-39, 3 PIN |
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| JANTX2N6904 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-204AA |
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| JANTX2N690E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| JANTX2N691E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| JANTX2N692E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| JANTX2N6967 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,13A I(D),TO-213AA |
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| JANTX2N6968 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,7.5A I(D),TO-213AA |
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| JANTX2N6987 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| JANTX2N6987 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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