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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-5, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.08 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 0.7 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 75 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.6 V |
| 最大维持电流： | 2 mA | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/276F |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 300 V |
| 重复峰值反向电压： | 300 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N2328S | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| JANTX2N2329 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| JANTX2N2329A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| JANTX2N2329AS | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| JANTX2N2329S | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| JANTX2N2369A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| JANTX2N2369AU | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC |
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| JANTX2N2369AUA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC |
|
| JANTX2N2369AUB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC |
|
| JANTX2N2432 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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